簡(jiǎn)要描述:MHY-29256型率場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀,是種新穎的數(shù)字顯示式率場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)測(cè)試裝置,可用于標(biāo)稱 電約在2-85A,率在300W以內(nèi)的N溝導(dǎo)率場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)的測(cè)試。它可以準(zhǔn)確測(cè)量擊穿電壓 VDSS、柵開(kāi)啟電壓VGS(th)和放大性參數(shù)跨導(dǎo)Gfs
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場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀/MOS管測(cè)試儀 型號(hào):MHY-29256
、MHY-29256場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀/MOS管測(cè)試儀概述
MHY-29256型率,是種新穎的數(shù)字顯示式率場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)測(cè)試裝置,可用于標(biāo)稱 電約在2-85A,率在300W以內(nèi)的N溝導(dǎo)率場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)的測(cè)試。它可以準(zhǔn)確測(cè)量擊穿電壓 VDSS、柵開(kāi)啟電壓VGS(th)和放大性參數(shù)跨導(dǎo)Gfs,尤其是跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試電可以達(dá)到50A,由于采 用脈沖電測(cè)試法,即使在大電測(cè)試時(shí)也不會(huì)對(duì)被測(cè)器件成何損壞,更可以在大電狀態(tài)下對(duì)場(chǎng)效 應(yīng)管行參數(shù)*性的測(cè)試(配對(duì));儀器可用于同等電等的IGBT參數(shù)的測(cè)量;儀器還是臺(tái)性 能十分的電子元器件耐壓測(cè)試裝置,其測(cè)試耐壓時(shí)的漏電有1mA、250uA、25uA 三擋可以選擇。儀器 主要用于率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT的質(zhì)量檢驗(yàn)、參數(shù)的配對(duì)及其它電子元器件的耐壓測(cè)試之用。儀器分N溝導(dǎo)型 測(cè)試儀和P溝導(dǎo)型測(cè)試儀兩種。儀器外型美觀、性能穩(wěn)定、測(cè)量準(zhǔn)確、操作簡(jiǎn)單、使用安方便。
二、主要性能
1、擊穿電壓VDSS測(cè)量范圍: 0—1999V, 度:≤2.5% 。
2、IDSS可分三擋選擇: 1mA、250uA、25uA 。
3、柵開(kāi)啟電壓VGS(th) 測(cè)量范圍: 0—10V。 度:≤5% 。
4、Gfs跨導(dǎo)測(cè)試電Idm:不小于1—50 A連續(xù)可調(diào), 度:≤10 % 。
5、Gfs跨導(dǎo)測(cè)試范圍:1—100 。
三、主要測(cè)試能
1、率場(chǎng)效應(yīng)管的擊穿電壓VDSS、柵開(kāi)啟電壓VGS(th)、跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試。
2、IGBT的擊穿電壓V(BR)ces、柵開(kāi)啟電壓VGE(th)、跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試。
3、率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT在50A以下的意電狀態(tài)下*性的測(cè)試,可用于配對(duì)。
4、對(duì)其它更大電和率的場(chǎng)效應(yīng)管及IGBT的測(cè)試:(見(jiàn)下面介紹)。
5、各類晶體三管、二管、穩(wěn)壓管擊穿電壓的測(cè)試。
6、壓敏電阻電壓的測(cè)試等。
四、測(cè)試盒與測(cè)試線
1、利用測(cè)試盒可以方便的測(cè)試TO-126、TO-220、TOP-3等類似封裝的率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT。
2、利用測(cè)試線可以測(cè)量其它金屬類、模塊類等封裝形式的率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT。
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